三星(微博)电子今天宣布，三星电子16号半导体生产线竣工投产，该生产线为全球最大规模半导体生产线，主要产品为20纳米级NAND闪存。三星电子本月还将首次实现20纳米级DDR3内存设备的量产，成为全球最早量产20纳米级存储器产品的企业。

　　据悉，三星电子16号半导体生产线自去年5月开工建设，经过短短的15个月即投入运行，总面积约为20万平方米，建筑达12层，也是全球最大规模，最先进的半导体生产线。

　　三星电子方面表示，三星电子16号半导体生产线今年2月竣工、5月建成洁净室(Clean Room)、6月开始产品测试、8月完备量产系统，计划从本月起，每月生产1万片以上的12英寸晶圆20纳米高速NAND闪存。到今年末为止，三星将按照NAND闪存的需求，逐渐增加12英寸晶圆的生产规模，明年计划量产10纳米级大容量高速闪存。

　　本月将实现量产的三星20纳米级DDR3内存拥有与去年7月研发的30纳米级DDR3内存的同等性能，同时提高了约50%生产效率，节约了40%以上的耗电量。三星计划今年内研发20纳米级4GB DDR3内存，明年开始量产4GB、8GB、16GB、32GB等大容量产品。

　　由于PC厂商的需求降低导致存储芯片价格过去三个月的降幅超过30%，甚至低于生产成本。由于平板电脑和智能手机受到消费者热捧，因此今年全球平板电脑出货量只能实现不足5%的增长。

　　三星在存储芯片厂商的竞争对手包括海力士、尔必达和力晶科技。

　　由于利润率持续恶化，加之前景疲软，导致规模较小的竞争对手推迟了需要耗费大量资本的生产设施升级计划。尔必达上周表示，考虑将部分产能转移到中国台湾，借此规避日元升值，并在疲软的市场中求生存。

　　自从去年5月开工建设以来，三星已经为这处位于韩国南部城市华城的工厂投资了12万亿韩元(约合104亿美元)。三星表示，还将加大NAND闪存芯片的生产，以便满足市场需求。